型号 | SI1029X-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 |
SI1029X-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI1029X-T1-GE3 |
产品目录绘图 | X-T1-E3 Series SOT-563 |
标准包装 | 1 |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA,190mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SC-89-6 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI1029X-T1-GE3CT |